透明導(dǎo)電薄膜

　　透明導(dǎo)電薄膜概述
　　透明導(dǎo)電薄膜是一種既能導(dǎo)電又在可見(jiàn)光范圍內(nèi)具有高透明率的一種薄膜，主要有金屬膜系、氧化物膜系、其他化合物膜系、高分子膜系、復(fù)合膜系等。金屬膜系導(dǎo)電性能好，但是透明率差。半導(dǎo)體薄膜系列剛好相反，導(dǎo)電性差，透明率高。當(dāng)前研究和應(yīng)用最為廣泛的是金屬膜系和氧化物膜系。透明導(dǎo)電薄膜主要用于光電器件（如LED，薄膜太陽(yáng)能電池等）的窗口材料。常見(jiàn)的透明導(dǎo)電薄膜為ITO（錫摻雜三氧化銦）、AZO(鋁摻雜氧化鋅)等，它們的禁帶寬度大，只吸收紫外光，不吸收可見(jiàn)光，因此稱之為“透明”。
　　國(guó)內(nèi)外最近研究?
　　最近幾年來(lái)國(guó)內(nèi)外的研究者分別在低溫制備的設(shè)備、工藝、薄膜的表面改性、多層膜系的設(shè)計(jì)和制備工藝方面進(jìn)行了深入的研究。例如，Wu Wen-Fa等利用R.F磁控濺射工藝在不加熱的聚碳酸酯（PC）襯底上制備了厚度為250mm，電阻率為6× ~2（Ω·cm），透過(guò)率為74%~90%；Park Sung Kyu等利用R.F磁控濺射工藝在低溫聚合物PES上制備了110nmITO，方塊電阻是20O/□，透過(guò)率80%，但是表面的粗糙度較大；法國(guó)的David等，利用In-Sn合金靶在100℃下沉積在聚合物上的ITO薄膜透過(guò)率為85%，電阻率為~0.003Ω·cm，表面粗糙度為15-50，美國(guó)的Daeil.KIM用直接金屬離子束沉積（DMIBD）方法在70℃的條件下制備的ITO薄膜最高透過(guò)率為85%，最低電阻率為4×Ω·cm，表面質(zhì)量比較高；此外還有一些研究人員利用脈沖激光沉積（PLD），電子束熱蒸發(fā)和金屬離子輔助濺射等方法在低溫甚至在室溫的條件下進(jìn)行高質(zhì)量塑基的薄膜制備。
　　國(guó)內(nèi)的賈永新在150℃基板條件下制備出了透過(guò)率為80%左右ITO薄膜，但沒(méi)有見(jiàn)電阻和表面特性的報(bào)道；近年來(lái)李育峰等利用微波等離子體輔助方法在120℃的基片上沉積的薄膜透過(guò)率大于85%，但方塊電阻大于100O/□，表面特性沒(méi)有報(bào)道；馬瑾等在塑料襯底上在80℃-100℃的條件下制備出了透過(guò)率大于84%，電阻率~0.001量級(jí)的薄膜。
　　綜上所述，國(guó)內(nèi)在低溫尤其常溫下制備ITO薄膜方面研究還不夠充分、不夠全面；并且研究制備方法也比較單一，與國(guó)外有比較大的差距。近年來(lái)國(guó)外尤其日本和韓國(guó)分別在低溫沉積技術(shù)、薄膜生長(zhǎng)機(jī)理和薄膜表面改性方面進(jìn)行了深入的研究，在保證不對(duì)薄膜襯底產(chǎn)生破壞的情況下，在低溫甚至室溫的條件下制備出了薄膜電阻率低于5×Ω·cm，透過(guò)率大于85%，表面的粗糙度小于2nm的ITO薄膜。